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InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计

文献类型:期刊论文

作者徐刚毅 ; 李爱珍
刊名物理学报
出版日期2004
期号01
关键词异质结双极性晶体管 最小噪声系数 噪声等效电路
ISSN号1000-3290
中文摘要系统地研究了波长为 2 7μm的InGaAsSb AlGaAsSb多量子阱激光器中有源区的优化设计 .分别用含应变势的 6带KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构 ,并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解 ,由此计算量子阱在载流子注入时的增益谱 .研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元 ,而是粒子数反转程度 ,尤其是空穴填充HH1子带的概率 .增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益 .前者降低了价带HH1子带空穴的平面内有效质量 ;后者拉大了价带子带间距 ,尽管它同时略微增加了空穴有效质量 .
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50254]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
徐刚毅,李爱珍. InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计[J]. 物理学报,2004(01).
APA 徐刚毅,&李爱珍.(2004).InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计.物理学报(01).
MLA 徐刚毅,et al."InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计".物理学报 .01(2004).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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