InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郝国强 ; 张永刚 ; 刘天东 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 带隙基准 热迟滞保护 电流传输器 cascode运放 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53Ga0.47As光吸收层的载流子浓度对器件的暗电流有很大的影响,实测器件特性与模拟结果完全符合。文中还对器件结面积和电极尺寸等对暗电流的影响进行了比较和分析。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50258]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郝国强,张永刚,刘天东,等. InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究[J]. 半导体光电,2004(05). |
| APA | 郝国强,张永刚,刘天东,&李爱珍.(2004).InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究.半导体光电(05). |
| MLA | 郝国强,et al."InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究".半导体光电 .05(2004). |
入库方式： OAI收割
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