相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭方敏 ; 朱守正 ; 魏华征 ; 郑莹 ; 朱荣锦 ; 忻佩胜 ; 朱自强 ; 赖宗声 ; 杨根庆 ; 陆卫 |
| 刊名 | 华东师范大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | Ti-V基储氢合金 电极材料 电化学性能 |
| 中文摘要 | MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372°/3.5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50309]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭方敏,朱守正,魏华征,等. 相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制[J]. 华东师范大学学报(自然科学版),2004(01). |
| APA | 郭方敏.,朱守正.,魏华征.,郑莹.,朱荣锦.,...&陆卫.(2004).相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制.华东师范大学学报(自然科学版)(01). |
| MLA | 郭方敏,et al."相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制".华东师范大学学报(自然科学版) .01(2004). |
入库方式： OAI收割
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