基于GaN的太拉赫兹负微分电阻振荡器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吕京涛 ; 曹俊诚 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 关键词 | 光读出热成像 法布里珀罗微腔 微机电系统 热-机械灵敏度 |
| 中文摘要 | 在闪锌矿结构的GaN中 ,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应。基于这种机制的GaNn+ nn+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内。从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端所加电场的依赖关系 ,并预言了利用GaN负微分电阻振荡器作为可调谐太拉赫兹源的理论可能性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50343]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕京涛,曹俊诚. 基于GaN的太拉赫兹负微分电阻振荡器[J]. 稀有金属,2004(03). |
| APA | 吕京涛,&曹俊诚.(2004).基于GaN的太拉赫兹负微分电阻振荡器.稀有金属(03). |
| MLA | 吕京涛,et al."基于GaN的太拉赫兹负微分电阻振荡器".稀有金属 .03(2004). |
入库方式： OAI收割
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