InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 唐田 ; 张永刚 ; 郑燕兰 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 半导体光电
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 卫星扩频通信 窄带干扰抑制 DFT 噪声估计 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明InGaAsSb/AlGaAsSb是制作23μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,然而在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50345]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐田,张永刚,郑燕兰,等. InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计[J]. 半导体光电,2004(05). |
| APA | 唐田,张永刚,郑燕兰,&李爱珍.(2004).InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计.半导体光电(05). |
| MLA | 唐田,et al."InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计".半导体光电 .05(2004). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。