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低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜

文献类型:期刊论文

作者江炳尧 ; 蒋军 ; 冯涛 ; 任琮欣 ; 张正选 ; 宋志棠 ; 柳襄怀 ; 郑里平
刊名功能材料
出版日期2004
期号06
关键词Ti-V基储氢合金 电极材料 电化学性能
ISSN号1001-9731
中文摘要采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50349]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
江炳尧,蒋军,冯涛,等. 低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜[J]. 功能材料,2004(06).
APA 江炳尧.,蒋军.,冯涛.,任琮欣.,张正选.,...&郑里平.(2004).低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜.功能材料(06).
MLA 江炳尧,et al."低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜".功能材料 .06(2004).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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