低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜
文献类型:期刊论文
作者 | 江炳尧 ; 蒋军 ; 冯涛 ; 任琮欣 ; 张正选 ; 宋志棠 ; 柳襄怀 ; 郑里平 |
刊名 | 功能材料
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出版日期 | 2004 |
期号 | 06 |
关键词 | Ti-V基储氢合金 电极材料 电化学性能 |
ISSN号 | 1001-9731 |
中文摘要 | 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50349] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 江炳尧,蒋军,冯涛,等. 低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜[J]. 功能材料,2004(06). |
APA | 江炳尧.,蒋军.,冯涛.,任琮欣.,张正选.,...&郑里平.(2004).低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜.功能材料(06). |
MLA | 江炳尧,et al."低能Ar~+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜".功能材料 .06(2004). |
入库方式: OAI收割
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