GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收
文献类型：期刊论文
| 作者 | 伍滨和 ; 曹俊诚 ; 夏冠群 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 储氢材料 TiMn1.25Cr0.25合金 活化性能 表面氧化层 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论 ,可以求出瞬态探测光吸收系数。这一方法没有采用稳态假设。计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数。利用这一模型可以计算半导体微结构中的相干载流子的控制问题。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50352]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伍滨和,曹俊诚,夏冠群. GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收[J]. 稀有金属,2004(03). |
| APA | 伍滨和,曹俊诚,&夏冠群.(2004).GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收.稀有金属(03). |
| MLA | 伍滨和,et al."GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收".稀有金属 .03(2004). |
入库方式： OAI收割
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