室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2μm多量子阱脊波导半导体激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张雄 ; 李爱珍 ; 张永刚 ; 郑燕兰 ; 徐刚毅 ; 齐鸣 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 图形化SOI LDMOS 浮体效应 自加热效应 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器。器件材料生长采用固态源分子束外延的方法 ,器件有源层采用应变补偿量子阱结构 ,激光器结构中引入了加宽波导的设计。制备的多量子阱激光器最高工作温度可达 60℃ ,激射波长2 0 8μm。室温下阈值电流为 3 5 0mA ,2 0～ 5 0℃范围内特征温度为 88K。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50357]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张雄,李爱珍,张永刚,等. 室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2μm多量子阱脊波导半导体激光器[J]. 稀有金属,2004(03). |
| APA | 张雄,李爱珍,张永刚,郑燕兰,徐刚毅,&齐鸣.(2004).室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2μm多量子阱脊波导半导体激光器.稀有金属(03). |
| MLA | 张雄,et al."室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2μm多量子阱脊波导半导体激光器".稀有金属 .03(2004). |
入库方式： OAI收割
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