等离子束辅助沉积制备ZnO薄膜的特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 甄万宝 ; 朱世富 ; 赵北君 ; 宋志棠 ; 封松林 |
| 刊名 | 四川大学学报(工程科学版)
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 半导体技术 片上天线 非接触式IC卡 数模混合集成电路 |
| ISSN号 | 1009-3087 |
| 中文摘要 | 采用等离子束辅助沉积的方法在n-Si(001)衬底上制备出ZnO薄膜。X射线衍射谱显示,所制备的ZnO薄膜有较强的(002)晶面衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的,并且随着退火温度升高,晶粒逐渐增大,衍射峰逐渐增强。光致发光谱测量发现,样品分别在3.28eV和2.48eV存在紫外发射和深能级发射两个较强的发射峰,并且随着退火温度升高,深能级发射逐渐减弱,紫外发射峰得到进一步改善。四探针测试电阻率结果表明,随着退火温度的升高,ZnO薄膜的电阻率呈线性增加。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50373]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 甄万宝,朱世富,赵北君,等. 等离子束辅助沉积制备ZnO薄膜的特性研究[J]. 四川大学学报(工程科学版),2004(06). |
| APA | 甄万宝,朱世富,赵北君,宋志棠,&封松林.(2004).等离子束辅助沉积制备ZnO薄膜的特性研究.四川大学学报(工程科学版)(06). |
| MLA | 甄万宝,et al."等离子束辅助沉积制备ZnO薄膜的特性研究".四川大学学报(工程科学版) .06(2004). |
入库方式： OAI收割
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