衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶好华 ; 于广辉 ; 雷本亮 ; 齐鸣 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | MEMS 毫米波相移器 相位连续可调 传输损耗 插入损耗 启动电压 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响。X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明 ,不同的氮化时间导致Al2 O3表面的成核层发生变化 ,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50375]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶好华,于广辉,雷本亮,等. 衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响[J]. 稀有金属,2004(03). |
| APA | 叶好华,于广辉,雷本亮,齐鸣,&李爱珍.(2004).衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响.稀有金属(03). |
| MLA | 叶好华,et al."衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响".稀有金属 .03(2004). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。