高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邢玉梅 ; 俞跃辉 ; 林梓鑫 ; 宋朝瑞 ; 杨文伟 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | DNA芯片 乙型肝炎病毒 基因多态性 地高辛 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50381]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢玉梅,俞跃辉,林梓鑫,等. 高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究[J]. 功能材料与器件学报,2004(03). |
| APA | 邢玉梅,俞跃辉,林梓鑫,宋朝瑞,&杨文伟.(2004).高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 邢玉梅,et al."高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究".功能材料与器件学报 .03(2004). |
入库方式： OAI收割
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