PIII技术在制备c-BN硬化层中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王钧石 ; 柳襄怀 ; 王曦 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 分子束外延 碳掺杂 四溴化碳 InGaAs 异质结双极晶体管 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 采用一种新型的等离子体浸没式离子注入技术 (PIII)在渗硼后的 5 0Mn钢试样上制备出了厚度为 0 .15～ 0 .2mm的立方氮化硼 (c BN)表面硬化层。经X射线电子能谱 (XPS)和X射线衍射分析 (XRD) ,发现硬化层中的组织有立方氮化硼 (c BN)、六方氮化硼 (h BN)、B2 O3,FeB和Fe2 B。在表层 60nm的深度范围内 ,c BN的含量较高。采用球盘式无润滑滑动摩擦实验和维氏显微硬度实验分别对渗硼 +PIII复合处理以及单独渗硼的 5 0Mn钢试样的性能进行了对比实验。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50383]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王钧石,柳襄怀,王曦. PIII技术在制备c-BN硬化层中的应用[J]. 稀有金属,2004(04). |
| APA | 王钧石,柳襄怀,&王曦.(2004).PIII技术在制备c-BN硬化层中的应用.稀有金属(04). |
| MLA | 王钧石,et al."PIII技术在制备c-BN硬化层中的应用".稀有金属 .04(2004). |
入库方式： OAI收割
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