太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 米贤武 ; 曹俊诚 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 金属氢化物-镍电池 储存性能 导电网络 镍粉 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 用密度矩阵理论 ,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱。在直流和太赫兹场作用下 ,由于量子约束斯塔克效应 ,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。改变太赫兹的强度和频率 ,吸收谱出现恶歇分裂 ,并产生边带。这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50390]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 米贤武,曹俊诚. 太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收研究[J]. 稀有金属,2004(03). |
| APA | 米贤武,&曹俊诚.(2004).太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收研究.稀有金属(03). |
| MLA | 米贤武,et al."太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收研究".稀有金属 .03(2004). |
入库方式： OAI收割
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