用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 劳燕锋 ; 吴惠桢 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | GaInAsSb/GaSb 红外探测器 Ⅰ-Ⅴ特性 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1.44 μm时的Ga组份x与阱宽Lw(在 5～ 10nm内取值 )的相互关系 :x=0 .3 2 0 13 +0 .0 60 93Lw-0 .0 0 5 3 4Lw2 +0 .0 0 0 17483Lw3,当阱宽为 5～ 10nm ,因而G |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50396]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 劳燕锋,吴惠桢. 用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计[J]. 稀有金属,2004(03). |
| APA | 劳燕锋,&吴惠桢.(2004).用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计.稀有金属(03). |
| MLA | 劳燕锋,et al."用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计".稀有金属 .03(2004). |
入库方式： OAI收割
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