InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐安怀 ; 邹璐 ; 陈晓杰 ; 齐鸣 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 加速度计 静电力 偏置电压极性 反馈 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为 4× 10 - 4量级 ,典型的InP发射区掺杂浓度 ( 4× 10 1 7cm- 3)时 ,电子迁移率为 80 0cm2 ·V- 1 ·s- 1 ,具有较好的电学特性 ,可以满足器件制作的要求。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50398]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐安怀,邹璐,陈晓杰,等. InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究[J]. 稀有金属,2004(03). |
| APA | 徐安怀,邹璐,陈晓杰,&齐鸣.(2004).InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究.稀有金属(03). |
| MLA | 徐安怀,et al."InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究".稀有金属 .03(2004). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。