MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 唐田 ; 张永刚 ; 郑燕兰 ; 唐雄心 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 自动 算法 时间自动机 抽象 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 基于理论计算和实验 ,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明 ,通过对材料中的As组份调节 ,可以对材料中的应变进行控制 ,达到良好的应变补偿效果 ,实验结果和理论计算相当吻合。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50402]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐田,张永刚,郑燕兰,等. MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制[J]. 稀有金属,2004(03). |
| APA | 唐田,张永刚,郑燕兰,唐雄心,&李爱珍.(2004).MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制.稀有金属(03). |
| MLA | 唐田,et al."MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制".稀有金属 .03(2004). |
入库方式： OAI收割
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