GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李爱珍 ; 李华 ; 李存才 ; 胡建 ; 唐雄心 ; 齐鸣 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 协调旋转数字计算 基站 数字频率合成器 无杂散动态范围 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布。结果表明 ,用GSMBE生长的Φ5 0mm和Φ75mmIn0 .4 9Ga0 .51 P与GaAs衬底的失配度分别为 1× 10 - 4和 1× 10 - 5,组分波动Φ |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50407]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李爱珍,李华,李存才,等. GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究[J]. 稀有金属,2004(03). |
| APA | 李爱珍,李华,李存才,胡建,唐雄心,&齐鸣.(2004).GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究.稀有金属(03). |
| MLA | 李爱珍,et al."GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究".稀有金属 .03(2004). |
入库方式： OAI收割
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