四阱耦合InGa As/InAl As/InP量子级联激光器材料的结构特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李华 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 软件无线电 中频数字化 多速率信号处理 高效数字滤波器 重配置 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失配≤ 1× 10 - 3。采用特殊的优化工艺 ,Φ5 0mm外延片的表面缺路陷密度降至 1× 10cm- 2 ,达到了器件质量的要求。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50409]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李华,李爱珍. 四阱耦合InGa As/InAl As/InP量子级联激光器材料的结构特性研究[J]. 稀有金属,2004(03). |
| APA | 李华,&李爱珍.(2004).四阱耦合InGa As/InAl As/InP量子级联激光器材料的结构特性研究.稀有金属(03). |
| MLA | 李华,et al."四阱耦合InGa As/InAl As/InP量子级联激光器材料的结构特性研究".稀有金属 .03(2004). |
入库方式： OAI收割
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