GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及其Ⅰ-Ⅴ特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘延祥 ; 夏冠群 ; 唐绍裘 ; 程宗权 |
| 刊名 | 红外
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | PLD技术 Ti50Ni36Cu14 合金薄膜 成分均匀性 |
| ISSN号 | 1000-5641 |
| 中文摘要 | 本文简单介绍了GaInAsSb/GaSb PIN探测器的结构及工作原理,重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器Ⅰ-Ⅴ反向偏软的特性的方法。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50448]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘延祥,夏冠群,唐绍裘,等. GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及其Ⅰ-Ⅴ特性的研究[J]. 红外,2004(05). |
| APA | 刘延祥,夏冠群,唐绍裘,&程宗权.(2004).GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及其Ⅰ-Ⅴ特性的研究.红外(05). |
| MLA | 刘延祥,et al."GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及其Ⅰ-Ⅴ特性的研究".红外 .05(2004). |
入库方式： OAI收割
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