新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程新红 ; 杨文伟 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 ; 沈达升 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 等效介电常数 时域有限差分 时域多分辨率 非匀质单元网格 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 提出一种图形化 SOI L DMOSFET结构 ,埋氧层在器件沟道下方是断开的 ,只存在于源区和漏区 .数值模拟结果表明 ,相对于无体连接的 SOI器件 ,此结构的关态和开态击穿电压可分别提高 5 7%和 70 % ,跨导平滑 ,开态 I-V曲线没有翘曲现象 ,器件温度低 10 0 K左右 ,同时此结构还具有低的泄漏电流和输出电容 .沟道下方开硅窗口可明显抑制 SOI器件的浮体效应和自加热效应 .此结构具有提高 SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力 . |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50451]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,杨文伟,宋朝瑞,等. 新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析(英文)[J]. 半导体学报,2004(12). |
| APA | 程新红,杨文伟,宋朝瑞,俞跃辉,&沈达升.(2004).新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析(英文).半导体学报(12). |
| MLA | 程新红,et al."新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析(英文)".半导体学报 .12(2004). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。