AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积
文献类型：期刊论文
| 作者 | 丁艳芳 ; 门传玲 ; 陈韬 ; 朱自强 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 阵列波导光栅 密集波分复用 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 中文摘要 | 研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质。结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构。随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升。AlN晶粒呈柱状生长机制。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50457]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁艳芳,门传玲,陈韬,等. AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积[J]. 功能材料,2005(12). |
| APA | 丁艳芳,门传玲,陈韬,朱自强,&林成鲁.(2005).AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积.功能材料(12). |
| MLA | 丁艳芳,et al."AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积".功能材料 .12(2005). |
入库方式： OAI收割
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