Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻(英文)
文献类型:期刊论文
作者 | 聂阳 ; 王智河 ; 白忠 ; 李配军 ; 邱里 ; 丁世英 ; 张宏 |
刊名 | 低温物理学报
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出版日期 | 2005 |
期号 | S1 |
关键词 | 芯片实验室 微全分析系统 PCR芯片 毛细管电泳芯片 |
ISSN号 | 1000-3258 |
中文摘要 | 在0 ~9T范围内测量了磁场平行于c-轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系.我们用A~H模型拟合实验数据.结果表明,以R/ Rn=20 %作为高阻区和低阻区的分界线,R~T曲线可分别用R = Rn{I0[ CH-p(1-t)q]}-2来描述,其中Rn是正常态的电阻Rn=-5.36+0.145T.p=0 .78 ,1 .88和q=1 .5 ,3 .5分别是高阻区和低阻区的拟合参数. |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50463] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 聂阳,王智河,白忠,等. Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻(英文)[J]. 低温物理学报,2005(S1). |
APA | 聂阳.,王智河.,白忠.,李配军.,邱里.,...&张宏.(2005).Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻(英文).低温物理学报(S1). |
MLA | 聂阳,et al."Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻(英文)".低温物理学报 .S1(2005). |
入库方式: OAI收割
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