离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 蒋军 ; 江炳尧 ; 郑志宏 ; 任琮欣 ; 冯涛 ; 王曦 ; 柳襄怀 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 功能材料
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 11 |
| 关键词 | 乘加单元 FIR滤波器 流水线 进位保留加法 符号扩展 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 中文摘要 | 利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50476]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋军,江炳尧,郑志宏,等. 离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究[J]. 功能材料,2005(11). |
| APA | 蒋军.,江炳尧.,郑志宏.,任琮欣.,冯涛.,...&邹世昌.(2005).离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究.功能材料(11). |
| MLA | 蒋军,et al."离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究".功能材料 .11(2005). |
入库方式： OAI收割
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