应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陶凯 ; 董业民 ; 易万兵 ; 王曦 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 电磁带隙结构 微带阵列天线 阻带特性 TE/TM波 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 利用低剂量、低能量的SIMOX(separationbyimplantedoxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备.在二氧化硅掩膜尺寸为172nm的情况下,可以得到间隔为180nm的埋氧层.通过TEM(transmissionelectronmicroscope)观察发现埋层形貌完整、界面陡峭、无硅岛及其他缺陷.该结果为DSOI(dain/sourceoninsulator)器件向更小尺寸发展奠定了工艺基础. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50487]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陶凯,董业民,易万兵,等. 应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备[J]. 半导体学报,2005(06). |
| APA | 陶凯,董业民,易万兵,王曦,&邹世昌.(2005).应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备.半导体学报(06). |
| MLA | 陶凯,et al."应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备".半导体学报 .06(2005). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。