注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张恩霞 ; 钱聪 ; 张正选 ; 王曦 ; 张国强 ; 李宁 ; 郑中山 ; 刘忠立 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | THz辐射 反应离子刻蚀 ZnTe |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管,并测试了晶体管辐射前后的转移特性.实验结果表明,注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50495]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张恩霞,钱聪,张正选,等. 注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响[J]. 半导体学报,2005(06). |
| APA | 张恩霞.,钱聪.,张正选.,王曦.,张国强.,...&刘忠立.(2005).注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响.半导体学报(06). |
| MLA | 张恩霞,et al."注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响".半导体学报 .06(2005). |
入库方式： OAI收割
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