利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陶凯 ; 郭国超 ; 孔蔚然 ; 韩瑞津 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 上海微系统与信息技术研究所 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50518]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陶凯,郭国超,孔蔚然,等. 利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性[J]. 半导体技术,2005(12). |
| APA | 陶凯,郭国超,孔蔚然,韩瑞津,&邹世昌.(2005).利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性.半导体技术(12). |
| MLA | 陶凯,et al."利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性".半导体技术 .12(2005). |
入库方式： OAI收割
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