低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江炳尧 ; 蒋军 ; 冯涛 ; 任琮欣 ; 张正选 ; 柳襄怀 ; 郑里平 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | Ni/MH电池 贮氢合金 电化学性能 高倍率 低温 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 中文摘要 | 采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50533]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江炳尧,蒋军,冯涛,等. 低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜[J]. 核技术,2005(01). |
| APA | 江炳尧.,蒋军.,冯涛.,任琮欣.,张正选.,...&郑里平.(2005).低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜.核技术(01). |
| MLA | 江炳尧,et al."低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜".核技术 .01(2005). |
入库方式： OAI收割
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