ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张楷亮 ; 宋志棠 ; 封松林 ; Chen Bomy |
| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 07 |
| 关键词 | THz电磁波 THz辐射源 THz探测器 负有效质量 非线性动力学 |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 中文摘要 | IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)方法的发展、应用及展望。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50537]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张楷亮,宋志棠,封松林,等. ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光[J]. 微纳电子技术,2005(07). |
| APA | 张楷亮,宋志棠,封松林,&Chen Bomy.(2005).ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光.微纳电子技术(07). |
| MLA | 张楷亮,et al."ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光".微纳电子技术 .07(2005). |
入库方式： OAI收割
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