镀铂栅极抑制电子发射性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 蒋军 ; 江炳尧 ; 任琮欣 ; 张福民 ; 冯涛 ; 王曦 ; 柳襄怀 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 稀有金属材料与工程
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 11 |
| 关键词 | 微机械 悬桥 LPCVD 氮化硅 杨氏模量 残余应力 弯曲强度 |
| ISSN号 | 1002-185X |
| 中文摘要 | 利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能。采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征。实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50538]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋军,江炳尧,任琮欣,等. 镀铂栅极抑制电子发射性能研究[J]. 稀有金属材料与工程,2005(11). |
| APA | 蒋军.,江炳尧.,任琮欣.,张福民.,冯涛.,...&邹世昌.(2005).镀铂栅极抑制电子发射性能研究.稀有金属材料与工程(11). |
| MLA | 蒋军,et al."镀铂栅极抑制电子发射性能研究".稀有金属材料与工程 .11(2005). |
入库方式： OAI收割
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