数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张有涛 ; 夏冠群 ; 李拂晓 ; 高建峰 ; 杨乃彬 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 07 |
| 关键词 | 微型质子交换膜燃料电池(μPEMFC) 微机电系统(MEMS) 单晶硅片 压缩比 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 详细讨论、分析了用于3bit相位体制数字射频存储器(DRFM)系统的3bit相位体制ADC的设计、实现及测试.利用南京电子器件研究所标准GaAsΦ76mm全离子注入工艺,采用全耗尽非自对准MESFET器件加工实现了3bit超高速相位体制ADC.测试结果表明,该电路可在2GHz时钟速率下完成采样、量化,达到1.2Gbps的输出码流速率,其瞬时带宽可达150MHz,具备±0.22LSB的相位精度. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50545]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张有涛,夏冠群,李拂晓,等. 数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现[J]. 半导体学报,2005(07). |
| APA | 张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,&杨乃彬.(2005).数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现.半导体学报(07). |
| MLA | 张有涛,et al."数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现".半导体学报 .07(2005). |
入库方式： OAI收割
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