双环推挽型高线性M-Z光强调制器特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨建义 ; 王帆 ; 江晓清 ; 屈红昌 ; 吴亚明 ; 王明华 |
| 刊名 | 光电子·激光
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 10 |
| 关键词 | 微反应腔式PCR芯片 MEMS技术 温度调节 |
| ISSN号 | 1005-0086 |
| 中文摘要 | 对损耗影响下的双环推挽(TRAPP)型马赫-曾德(M-Z)光调制器的线性特性进行了研究。分析表明,存在损耗时,设计特定的光微环与M-Z干涉臂间的耦合大小,并控制偏置点,总可以获得2次与3次高阶项为零的调制曲线;当微环1周损耗小于5 dB时,线性范围总是可以达到90%以上;当损耗过大时,导致基于微环的全通滤波器的相位响应受限,虽然调制曲线在自身范围内依然保持高的线性度,但调制曲线固有的调制深度将限制整体线性范围。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50553]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨建义,王帆,江晓清,等. 双环推挽型高线性M-Z光强调制器特性研究[J]. 光电子·激光,2005(10). |
| APA | 杨建义,王帆,江晓清,屈红昌,吴亚明,&王明华.(2005).双环推挽型高线性M-Z光强调制器特性研究.光电子·激光(10). |
| MLA | 杨建义,et al."双环推挽型高线性M-Z光强调制器特性研究".光电子·激光 .10(2005). |
入库方式： OAI收割
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