掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴惠桢 ; 刘成 ; 劳燕锋 ; 黄占超 ; 曹萌 |
| 刊名 | 江西科学
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 异质结双极晶体管 AlGaInP/GaAs 直流特性 开启电压 |
| ISSN号 | 1001-3679 |
| 中文摘要 | 采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在(100)InP衬底上分别了生长了δ掺杂的p+-A lInAs-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-A lInAs-n+-InP隧道结性能好于p+-InP-n+-InP隧道结。接着在(100)InP衬底上生长了包含p+-A lInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的PIN结VCSEL小,室温下其电 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50555]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,刘成,劳燕锋,等. 掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用[J]. 江西科学,2005(05). |
| APA | 吴惠桢,刘成,劳燕锋,黄占超,&曹萌.(2005).掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用.江西科学(05). |
| MLA | 吴惠桢,et al."掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用".江西科学 .05(2005). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。