化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 易万兵 ; 涂瑞能 ; 张炳一 ; 吴谨 ; 毛杜立 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 11 |
| 关键词 | 微系统 进展 产业化 发展战略 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 介绍了CVD技术的原理和分类。对不同种类的CVD薄膜进行了比较和分析,并主要讨论了 CVD绝缘介质薄膜在后段工艺中的应用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50563]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 易万兵,涂瑞能,张炳一,等. 化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用[J]. 半导体技术,2005(11). |
| APA | 易万兵,涂瑞能,张炳一,吴谨,毛杜立,&邹世昌.(2005).化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用.半导体技术(11). |
| MLA | 易万兵,et al."化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用".半导体技术 .11(2005). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。