ULSI化学机械抛光的研究与展望
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张楷亮 ; 宋志棠 ; 封松林 ; Chen Bomy |
| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 异质结双极晶体管 铝镓铟磷/砷化镓 直流特性 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 中文摘要 | 随着半导体行业的飞速发展,集成电路特征尺寸的微细化,半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响。作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛光(CMP),近年来发展迅速,应用广泛。文章综述了化学机械抛光技术的发展现状:包括化学机械抛光设备、抛光液、抛光机理模型及应用研究进展;在此基础上,对CMP下一步发展的方向及其应用前景进行了展望。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50575]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张楷亮,宋志棠,封松林,等. ULSI化学机械抛光的研究与展望[J]. 微电子学,2005(03). |
| APA | 张楷亮,宋志棠,封松林,&Chen Bomy.(2005).ULSI化学机械抛光的研究与展望.微电子学(03). |
| MLA | 张楷亮,et al."ULSI化学机械抛光的研究与展望".微电子学 .03(2005). |
入库方式： OAI收割
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