GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究
文献类型:期刊论文
作者 | 刘延祥 ; 夏冠群 ; 唐绍裘 ; 李志怀 ; 程宗权 |
刊名 | 功能材料与器件学报
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出版日期 | 2005 |
期号 | 03 |
关键词 | 带通滤波器 光子带隙结构 谐振式滤波器 |
ISSN号 | 1007-4252 |
中文摘要 | 简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了A l2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜。膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀A l2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50583] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘延祥,夏冠群,唐绍裘,等. GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究[J]. 功能材料与器件学报,2005(03). |
APA | 刘延祥,夏冠群,唐绍裘,李志怀,&程宗权.(2005).GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究.功能材料与器件学报(03). |
MLA | 刘延祥,et al."GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究".功能材料与器件学报 .03(2005). |
入库方式: OAI收割
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