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1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制

文献类型:期刊论文

作者龙文华 ; 李广波 ; 贾科淼 ; 屈红昌 ; 唐衍哲 ; 吴亚明 ; 杨建义 ; 王跃林
刊名半导体学报
出版日期2005
期号09
关键词高温超导体 传输性质
ISSN号0253-4177
中文摘要采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB.
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50593]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
龙文华,李广波,贾科淼,等. 1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制[J]. 半导体学报,2005(09).
APA 龙文华.,李广波.,贾科淼.,屈红昌.,唐衍哲.,...&王跃林.(2005).1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制.半导体学报(09).
MLA 龙文华,et al."1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制".半导体学报 .09(2005).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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