反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 贺莉蓉 ; 顾春明 ; 沈文忠 ; 曹俊诚 ; 小川博司 ; 郭其新 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 10 |
| 关键词 | 高温超导体 磁通钉扎 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制,观察到0·25ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性,晶体的电光系数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数,分析了随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50597]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺莉蓉,顾春明,沈文忠,等. 反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究[J]. 物理学报,2005(10). |
| APA | 贺莉蓉,顾春明,沈文忠,曹俊诚,小川博司,&郭其新.(2005).反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究.物理学报(10). |
| MLA | 贺莉蓉,et al."反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究".物理学报 .10(2005). |
入库方式： OAI收割
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