延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定
文献类型：期刊论文
| 作者 | 余稳 ; 谭述奇 ; 张飞 ; 张义门 ; 孙晓玮 |
| 刊名 | 强激光与粒子束
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 07 |
| 关键词 | 皮肤技术 聚酰亚胺 柔性衬底 铂薄膜电阻 温度传感器 |
| ISSN号 | 1001-4322 |
| 中文摘要 | 分析了延迟击穿二极管(DBD,delayedbreakdowndiode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数(长度、面积、掺杂浓度、激励源等),模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况。结果表明:上升时间对于面积和负载电阻均存在极小值,设计时面积和负载电阻应该选取该极值点对应的最佳值。n区长度存在最佳值,理论上应为器件加载在所需临界击穿电压值而且刚好处于穿通状态时的长度值;p+区和n+区的长度没有太大的影响,但应稍大于各自的穿 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50601]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余稳,谭述奇,张飞,等. 延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定[J]. 强激光与粒子束,2005(07). |
| APA | 余稳,谭述奇,张飞,张义门,&孙晓玮.(2005).延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定.强激光与粒子束(07). |
| MLA | 余稳,et al."延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定".强激光与粒子束 .07(2005). |
入库方式： OAI收割
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