直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 劳燕锋 ; 吴惠桢 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 09 |
| 关键词 | 微机械陀螺 等效电路模型 模拟 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 通过对直接键合InPGaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InPGaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层,利用其对3.509μm波长光的强烈吸收特性可表征这种局部的键合不连续区域,二维扫描测试样品不同区域的吸收谱得到3.509μm波长吸收强度等值线图,从而描绘出外加压强的不均匀分布.实验上通过改进键合装置的施压均匀性,得到了连续过渡界面且均匀键合的InPGaAs结构,利用这种均匀键合技术有望制备大尺寸器件例 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50617]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 劳燕锋,吴惠桢. 直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究[J]. 物理学报,2005(09). |
| APA | 劳燕锋,&吴惠桢.(2005).直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究.物理学报(09). |
| MLA | 劳燕锋,et al."直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究".物理学报 .09(2005). |
入库方式： OAI收割
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