以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘奇斌 ; 林青 ; 刘卫丽 ; 封松林 ; 宋志棠 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 09 |
| 关键词 | 高温超导体 比热 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 为了减少经典SOI器件的自加热效应,首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN,用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构.实验结果显示,Si3N4层为非晶状态,新结构的SOSN具有良好的结构和电学性能.对传统SOI和新结构SOI的MOSFETs输出电流的输出特性和温度分布用TCAD仿真软件进行了模拟.模拟结果表明,新结构SOSN的MOSFET器件沟道温度和NDR效益都得到很大的降低,表明SOSN能够有效地克服自加热效应和提高MOSFET漏电流. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50624]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘奇斌,林青,刘卫丽,等. 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文)[J]. 半导体学报,2005(09). |
| APA | 刘奇斌,林青,刘卫丽,封松林,&宋志棠.(2005).以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文).半导体学报(09). |
| MLA | 刘奇斌,et al."以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文)".半导体学报 .09(2005). |
入库方式： OAI收割
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