注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张国强 ; 刘忠立 ; 李宁 ; 范楷 ; 郑中山 ; 张恩霞 ; 易万兵 ; 陈猛 ; 王曦 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I V特性有重要影响. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50634]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张国强,刘忠立,李宁,等. 注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响[J]. 半导体学报,2005(04). |
| APA | 张国强.,刘忠立.,李宁.,范楷.,郑中山.,...&王曦.(2005).注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响.半导体学报(04). |
| MLA | 张国强,et al."注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响".半导体学报 .04(2005). |
入库方式： OAI收割
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