Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀InP工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱海波 ; 李晓良 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | GaInAsSb 红外探测器 PSPICE |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 采用C l2/Ar感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀。讨论了直流自偏压、ICP功率、气体总流量和气体组分等因素对刻蚀速率和粗糙度的影响。结果表明C l2/Ar气体组分是决定刻蚀效果的重要因素。当C l2含量为30%左右时,刻蚀中的物理溅射与化学反应过程趋于平衡,刻蚀速率处于峰值区,同时刻蚀粗糙度也可达到最小值。SEM照片显示刻蚀表面光洁,侧壁陡直。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50644]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱海波,李晓良. Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀InP工艺研究[J]. 功能材料与器件学报,2005(03). |
| APA | 朱海波,&李晓良.(2005).Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀InP工艺研究.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 朱海波,et al."Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀InP工艺研究".功能材料与器件学报 .03(2005). |
入库方式： OAI收割
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