CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邢玉梅 ; 俞跃辉 ; 陈可炜 ; 郑志宏 ; 杨文伟 |
| 刊名 | 压电与声光
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 光子晶体 光子带隙 超高真空电子束蒸发 银/二氧化硅多层结构 |
| ISSN号 | 1004-2474 |
| 中文摘要 | 采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40keV及80keV的碳离子注入,靶温控制在700°C左右;注入后将样品在1250°C的氩气中退火5h。通过红外反射光谱、掠角X-射线衍射以及剖面透射电镜对退火前后的样品进行分析,其结果证明了结晶质量较好的多晶β-SiC不连续埋层的形成。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50659]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢玉梅,俞跃辉,陈可炜,等. CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺[J]. 压电与声光,2005(03). |
| APA | 邢玉梅,俞跃辉,陈可炜,郑志宏,&杨文伟.(2005).CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺.压电与声光(03). |
| MLA | 邢玉梅,et al."CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺".压电与声光 .03(2005). |
入库方式： OAI收割
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