图形化SOI LDMOS功率器件的性能分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程新红 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 ; 赵天麟 ; 李树良 |
| 刊名 | 微处理机
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 纳米硅尖制造技术 电阻加热器 压阻灵敏度 高密度存储技术 |
| ISSN号 | 1002-2279 |
| 中文摘要 | 本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构。工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热效应,具有低的泄漏电流,以及高的电流驱动能力。这种结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50667]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,宋朝瑞,俞跃辉,等. 图形化SOI LDMOS功率器件的性能分析[J]. 微处理机,2005(04). |
| APA | 程新红,宋朝瑞,俞跃辉,赵天麟,&李树良.(2005).图形化SOI LDMOS功率器件的性能分析.微处理机(04). |
| MLA | 程新红,et al."图形化SOI LDMOS功率器件的性能分析".微处理机 .04(2005). |
入库方式： OAI收割
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