SOI在射频电路中的应用
文献类型:期刊论文
作者 | 骆苏华 ; 刘卫丽 ; 张苗 ; 狄增峰 ; 王石冶 ; 宋志棠 ; 孙晓玮 ; 林成鲁 |
刊名 | 微电子学
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出版日期 | 2005 |
期号 | 01 |
ISSN号 | 1004-3365 |
中文摘要 | 随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路 发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50698] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 骆苏华,刘卫丽,张苗,等. SOI在射频电路中的应用[J]. 微电子学,2005(01). |
APA | 骆苏华.,刘卫丽.,张苗.,狄增峰.,王石冶.,...&林成鲁.(2005).SOI在射频电路中的应用.微电子学(01). |
MLA | 骆苏华,et al."SOI在射频电路中的应用".微电子学 .01(2005). |
入库方式: OAI收割
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