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SOI在射频电路中的应用

文献类型:期刊论文

作者骆苏华 ; 刘卫丽 ; 张苗 ; 狄增峰 ; 王石冶 ; 宋志棠 ; 孙晓玮 ; 林成鲁
刊名微电子学
出版日期2005
期号01
ISSN号1004-3365
中文摘要随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路 发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50698]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
骆苏华,刘卫丽,张苗,等. SOI在射频电路中的应用[J]. 微电子学,2005(01).
APA 骆苏华.,刘卫丽.,张苗.,狄增峰.,王石冶.,...&林成鲁.(2005).SOI在射频电路中的应用.微电子学(01).
MLA 骆苏华,et al."SOI在射频电路中的应用".微电子学 .01(2005).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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