不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李冰寒 ; 刘文超 ; 周健 ; 夏冠群 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 霍尔效应 磁传感器 开关 GaAs 集成电路 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 设计并制备了三种不同集电结结构的A lG aInP/G aA s异质结双极晶体管,计算给出了三种集电结能带结构。通过对三种HBT的直流特性测试表明,N pN型HBT因异质集电结的导带尖峰出现电子阻挡效应;N p iN型HBT集电结引入i-G aA s层能有效克服电子阻挡效应,同时还具有拐点电压Vknee小、开启电压Voffset小、击穿电压BVCEO大等优点,但由于i-G aA s层引入增加了基区电子扩散长度,使器件电流增益有所下降。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50702]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李冰寒,刘文超,周健,等. 不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管[J]. 固体电子学研究与进展,2005(03). |
| APA | 李冰寒,刘文超,周健,&夏冠群.(2005).不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管.固体电子学研究与进展(03). |
| MLA | 李冰寒,et al."不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管".固体电子学研究与进展 .03(2005). |
入库方式： OAI收割
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