基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王文辉 ; 唐衍哲 ; 戈肖鸿 ; 吴亚明 ; 杨建义 ; 王跃林 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 栅发射 C薄膜 Hf薄膜 BaO |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 研究了基于绝缘材料上的硅 (SOI)材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺 .利用电感耦合等离子体刻蚀 (ICP)技术 ,在SOI材料上制作了垂直度大于 89°的光滑的光栅槽面 .氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度 (RMS)有 3nm的改善 ,达到 7 2 7nm(采样面积 6 2 μm× 2 6 μm) .通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使 1× 4分波器的器件尺寸仅为 2 0mm× 2 5mm .测试结果表明器件实现了分波功能 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50705]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王文辉,唐衍哲,戈肖鸿,等. 基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺[J]. 半导体学报,2005(01). |
| APA | 王文辉,唐衍哲,戈肖鸿,吴亚明,杨建义,&王跃林.(2005).基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺.半导体学报(01). |
| MLA | 王文辉,et al."基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺".半导体学报 .01(2005). |
入库方式： OAI收割
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