难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘文超 ; 夏冠群 ; 李冰寒 ; 黄文奎 ; 刘延祥 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | MC-CDMA 均衡 串行干扰消除 SISO译码 迭代 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W /Ti/Au多层金属和n GaAs材料的欧姆接触 ,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料的表面进行处理 .用传输线法对比接触电阻进行了测试 ,并利用俄歇电子能谱 (AES)、X射线衍射图谱 (XRD)对接触的微观结构进行了分析 .结果表明 ,用 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料表面进行处理后 ,比接触电阻最小 ;在 70 0℃快速合金化后获得最低的比接触电阻 ,约为 4 5× 10 -6Ω·cm2 .这是由于 ( |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50709]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文超,夏冠群,李冰寒,等. 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性[J]. 半导体学报,2005(01). |
| APA | 刘文超,夏冠群,李冰寒,黄文奎,&刘延祥.(2005).难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性.半导体学报(01). |
| MLA | 刘文超,et al."难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性".半导体学报 .01(2005). |
入库方式： OAI收割
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