C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴雪梅 ; 诸葛兰剑 ; 柳襄怀 |
| 刊名 | 功能材料信息
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 04 |
| 中文摘要 | 利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N2保护下,通过在900～1300K 范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解释了C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50715]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴雪梅,诸葛兰剑,柳襄怀. C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究[J]. 功能材料信息,2005(04). |
| APA | 吴雪梅,诸葛兰剑,&柳襄怀.(2005).C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究.功能材料信息(04). |
| MLA | 吴雪梅,et al."C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究".功能材料信息 .04(2005). |
入库方式： OAI收割
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