旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张有涛 ; 夏冠群 ; 李拂晓 ; 高建峰 ; 杨乃彬 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 研究了不同旁栅电极结构、不同旁栅电极取向对旁栅阈值特性的影响,并研究了旁栅阈值的光敏特性.结果表明:半绝缘衬底中的电子和空穴陷阱是旁栅效应及其光敏特性的主要原因,Ti/Au/Ti布线金属做旁栅电极具有最好的旁栅阈值特性,Au/Ge/Ni/Au欧姆接触和Ti/Pt/Au/Ti栅金属的旁栅阈值特性相似,三者都有明显的光敏特性.上述结果为GaAsMESFET数字集成电路版图设计规则的制定提供了可靠依据. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50729]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张有涛,夏冠群,李拂晓,等. 旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响[J]. 半导体学报,2005(04). |
| APA | 张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,&杨乃彬.(2005).旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响.半导体学报(04). |
| MLA | 张有涛,et al."旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响".半导体学报 .04(2005). |
入库方式： OAI收割
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